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人类芯片技术正式进入2 nm时代 [5P]

台积电在2022 年技术研讨会宣布,N3 工艺将于 2022 年内量产,后续还有 N3E、N3P、N3X 等,N2(2nm)工艺将于 2025 年量产。

台积电称N2是其第一个使用环绕栅极晶体管 (GAAFET) 的节点,而非现在的 FinFET(鳍式场效应晶体管)。新的制造工艺将提供全面的性能和功率优势。在相同功耗下,N2 比 N3速度快10~15%;相同速度下,功耗降低 25~30%。不过,与 N3E 相比,N2 仅将芯片密度提高 1.1 倍左右。

GAA 纳米片晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围,从而减少了泄漏;此外,它们的通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能,也可以缩小以最大限度地降低功耗和成本。为了给这些纳米片晶体管提供足够的功率,台积电的 N2 使用 backside power rail,台积电认为这是在back-end-of-line (BEOL) 中对抗电阻的最佳解决方案之一。

 
 
 
 
 



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